Методы жидкофазного халькогеннного пассивирования нанослоевых интерфейсов диодных контактов "полупроводник А3В5-переходной металл" n-типа.

Создание новых технологий получения близких к идеальным, устойчивых к действию агрессивных сред слоевых наноструктурных интерфейсов на границе металл-полупроводник

тип файла: Документ (pdf)
размер: 76.04 Kb
опубликован:10.03.2009