К этому престижному форуму представители физико-технического факультета АлтГУ в рамках реализации Программы стратегического развития ФГБОУ ВПО «Алтайский государственный университет» на 2012–2016 годы подготовили разработку «Селективный способ очистки детонационного наноалмаза» (авторы — докт. физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой общей и экспериментальной физики В.А. Плотников и канд. физ.-мат. наук, доцент каф. общей и экспериментальной физики С.В. Макаров).
«У нашей работы широкая тематика. Дело в том, что наноалмаз, получаемый с помощью взрывной технологии, обладает перспективным свойством – высокой сорбционной способностью. То есть его колоссально большая поверхность неконтролируемо притягивает к себе все, что есть вокруг. В результате на поверхности наноалмаза появляется мощный слой примесей, полностью закрывающих алмазное ядро. Тем самым у него пропадает нужная нам сорбционная способность, - поясняет Владимир Александрович Плотников. – Мы разработали методику, с помощью которой можно избирательно удалять с поверхности наноалмаза те или иные вещества. Причем достаточно эффективно. В итоге, очищенный наноалмаз, как сорбент высокомолекулярных соединений, можно использовать в медицине и биологии».
Изобретение получило высокую оценку экспертного жюри, завоевав золотую медаль.
Добавим, что на выставке были продемонстрированы более 1000 изобретений из 45 стран мира. Наиболее крупные национальные экспозиции организовали Китай, Саудовская Аравия, Таиланд, Республика Корея, Россия, Иран, Франция и Швейцария. Единственным представителем от Алтайского края стал Алтайский государственный университет.
Напомним, что в 2013 г. результатом участия АлтГУ в Международной выставке изобретений «INVENTIONS GENEVA» стало получение золотой медали за изобретение «Высокоточный способ управления импульсным стабилизатором тока» (авторы — В.И. Иордан, доцент каф. вычислительной техники и электроники и А.А. Соловьев).