Цель изучения дисциплины | Целью дисциплины является изучение свойств полупроводников, а также выявление физико-химических механизмов и закономерностей формирования выпрямляющих контактов AIIIBV-Me с близкими к идеальным электрофизическими параметрами на основе жидкофазных процессов образования нанопленки слоевых соединений AIIIBVI на поверхности полупроводника в мягких условиях. |
---|---|
Место дисциплины в учебном плане | Б1.В.ДВ.04 |
Формируемые компетенции | ОПК-1 | Знания, умения и навыки, получаемые в результате освоения дисциплины |
Знать:
основные понятия и определения химии тройных полупроводников основы применения современной подходов при проведении научных исследований в сфере физикохимии полупроводниковых наноматериалов Уметь:
провести компьютерное моделирование тройных полупроводников анализировать возможности современной аппаратуры при проведении научных исследований в сфере физикохимии полупроводниковых наноматериалов Иметь навыки и (или) опыт деятельности (владеть):
навыками математической обработки экспериментальных данных моделирования тройных полупроводников навыками использования современной аппаратуры компьютерного эксперимента при проведении научных исследований в области физикохимии полупроводниковых наноматериалов |
Содержание дисциплины | Введение. Электрохимия полупроводников. Мультиструктуры халькогенированных диодных контактов Ir - GaAs. Формирование нанослоевых диодных контактов. |
Виды учебной работы | Лекции, практические, самостоятельная работа. |
Используемые информационные, инструментальные и программные средства |
Microsoft Windows 7 № 60674416 от 19.07.2012 г. (бессрочная);
Microsoft Office 2010 № 60674416 от 19.07.2012 г. (бессрочная); 7-Zip; AcrobatReader. 1. http://www.chem.asu.ru/
2. http://www.chem.port.ru/ 3. http://www.ars.org/portalchemistry/ 4. http://www.pstlib.nsc.ru/ 5. http://www.e.lanbook.com/ 6. http://www.lib.asu.ru/ |
Форма промежуточной аттестации | Зачет. |