Цель изучения дисциплины | Цель преподавания дисциплины: научить студентов осознано и корректно применять современные модельные представления о взаимосвязи между физическими свойствами, электронной и пространственной структурой кристаллов и жидкостей, применению современных и оригинальных методов исследования веществ основанные на физико-химических измерениях. |
---|---|
Место дисциплины в учебном плане | Б1.В.ДВ.02.01 |
Формируемые компетенции | ОПК-1 | Знания, умения и навыки, получаемые в результате освоения дисциплины |
Знать:
теоретические основы физических процессов движения электронов в кристалле и закономерности их описывающие особенности поведения электронов сильных и слабых электрических, магнитных и тепловых полях, способы практического использования наблюдаемых эффектов и явлений. основные теоретические модели и основы физического эксперимента. закономерности распределение концентрации примеси в кристалле в результате направленной кристаллизации и зонной плавки. Уметь:
- сопоставлять данные физических измерений со свойствами и структурой кристаллов их потребительскими свойствамих. -определять термическую и оптическую ширину запрещенной зоны, подвижность и концентрацию носителей, высоту потенциального барьера контакта Ме-пп. -Вычислять распределение концентрации примеси в кристалле в результате направленной кристаллизации и зонной плавки. - сопоставлять данные физических измерений со свойствами и структурой кристаллов их потребительскими свойствами. Иметь навыки и (или) опыт деятельности (владеть):
Расчета электропроводности, ширины запрещенной зоны, высоты барьера на границе МЕ-пп и p-n перехода, монтажа установок для таких измерений. Вычисления концетрации примеси в результате направленной кристаллизации и\или зонной плавки. Работы с учебной и научной литературой по дисциплине, методами проведения эксперимента и интерпретации результатов физических измерений к свойствам кристаллов, навыками расчёта профиля концентраций примеси при различных методах очистки. |
Содержание дисциплины | Зонная теория твердого тела.. Статистика электронов и дырок в полупроводнике. Электропроводность полупроводников. Гальваномагнитные явления. Теплопроводность полупроводников. Оптические свойства. Контактные явления. Термодинамика реальных кристаллов. |
Виды учебной работы | Лекции, практические, лабораторные, самостоятельная работа. |
Используемые информационные, инструментальные и программные средства |
• Операционная система (Microsoft Windows и др.).
• Офисные приложения (Microsoft Office Word, Exel, PowerPoint и др.). 7-Zip AcrobatReader 1. http://www.chem.asu.ru/
2. http://www.chem.port.ru/ 3. http://www.ars.org/portalchemistry/ 4. http://www.pstlib.nsc.ru/ 5. http://www.e.lanbook.com/ 6. http://www.lib.asu.ru/ |
Форма промежуточной аттестации | Экзамен. |