Сайт НФПК «Опорные университеты России»: АлтГУ запатентовал уникальный способ получения источника электронов

13 июля 2020 Управление информации и медиакоммуникаций
Сайт Национального фонда подготовки кадров «Опорные университеты России» сообщил о том, что физики Алтайского государственного университета запатентовали уникальный способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки, являющейся источником высокоинтенсивного потока электронов.

Данной темой авторы изобретения – кандидат физико-математических наук Анна Николаевна Макрушина, доктора физико-математических наук Владимир Александрович Плотников и Сергей Викторович Макаров – занимаются уже на протяжении нескольких лет, получив около семи патентов на похожие способы получения источников электронов.

«Интерметаллическая пленка получается путем нанесения на определенную подложку (в нашем случае она стеклянная) нескольких слоев меди и олова. После этого мы проводим интерметаллическую реакцию, в результате чего по всей поверхности пленки синтезируется интерметаллическое соединение Купрум 6 – Станум 5 – локальные монокристальные области, или интерметаллические островки. Каждый островок, из которых состоит интерметаллическая пленка, - это своеобразное острие, торчащие из поверхности пленки, испускающее поток электронов, который соединяясь, создает уже высокоинтенсивный поток электронов. Эти потоки могут использоваться в технологических установках по электронно-лучевой обработке металлов, сплавов и т.д. В частности, в Новосибирске сейчас разрабатывают электрон-позитронный коллайдер, где и может понадобиться мощный источник электронов», - поясняет Владимир Александрович Плотников.

Область практического применения разработки физиков АлтГУ – это все, что связано с модификацией структуры поверхности металлов и приданием ей определенных поверхностных свойств, которые, например, могут быть использованы в качестве каталитических электродов в литий-ионных аккумуляторах.

«Интерметаллическая пленка – это высокоорганизованная структура. Она состоит из совокупности монокристаллов и что очень важно – она ориентирована в определенных кристаллографических направлениях, то есть мы, как разработчики, можем повлиять на ее свойства, задать необходимую нам кристаллографию конечного продукта. Разрабатывая такие структуры, можно выйти на холодную эмиссию электронов. Это поможет в создании мощных источников электронов», - подчеркивает В.А. Плотников.

Остается добавить, что разработанный физиками Алтайского госуниверситета способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке вошел в перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года.

Версия для печати
поделиться